Fallstudie IV – Rissbildung an der Stelle einer Schweißverbindung

Rissbildung an einer Schweißverbindung von Oben betrachtet. Es nicht ersichtlich, ob es sich um eine oberflächliche, geringfügige Schädigung handelt oder ein größerer Schaden vorliegt.  „Fallstudie IV – Rissbildung an der Stelle einer Schweißverbindung“ weiterlesen

Fallstudie III – Bruchkante der Vorderseite einer Solarzelle mit p-n-Übergang

Bruchkante einer Si-Solarzelle mit rot dargestelltem p-n-Übergang. Für diesen Fall ist ein SEM mit einer EBIC-Messeinrichtung erforderlich. Mit einer FIB-Anlage kann der Querschnitt an jeder beliebigen Stelle des p-n-Übergangs freigelegt werden und so die Qualität des p-n-Übergangs überprüft werden. Dazu ist eine FIB-Anlage mit mittlerem Ionenstrom und einem gut fokussierten Ionenstrahl erforderlich.

Fallstudie II – Querschnitt durch einen Vorderseiten- Kontaktfinger einer Solarzelle

Fehlerhafter Vorderseiten-Kontaktfinger, bestehend aus einem Saat- und einem Leitbereich mit länglichem Hohlraum in der Leitschicht. Unerwünschte Hohlräume gibt es auch an den Grenzflächen zwischen Saatbereich und Si-Wafer sowie Saatbereich und Leitbereich. „Fallstudie II – Querschnitt durch einen Vorderseiten- Kontaktfinger einer Solarzelle“ weiterlesen

Fallstudie I – Ätzschäden in Si-Wafer

Die Einlagerung sehr kleiner Partikel in eine Schicht, die den Wafer vor einer Ätzlösung schützen sollte, führte zum Unterätzen dieser Schicht. Mit FIB-Cross-Sectioning konnte dieser Partikel scheibenweise freigelegt werden und ein Nanokanal im Partikel als  Ursache für die Undichtigkeit der Schutzschicht  gefunden werden.

Für diesen Fall ist eine FIB-Anlage mit einen kleinen Ionenstrom, aber einem hochpräzise fokussierten Ionenstrahl erforderlich.