Rissbildung an einer Schweißverbindung von Oben betrachtet. Es nicht ersichtlich, ob es sich um eine oberflächliche, geringfügige Schädigung handelt oder ein größerer Schaden vorliegt. „Fallstudie IV – Rissbildung an der Stelle einer Schweißverbindung“ weiterlesen
Kategorie: Allgemein
Fallstudie IV – Rissbildung an der Stelle einer Schweißverbindung
Fallstudie III – Bruchkante der Vorderseite einer Solarzelle mit p-n-Übergang
Bruchkante einer Si-Solarzelle mit rot dargestelltem p-n-Übergang. Für diesen Fall ist ein SEM mit einer EBIC-Messeinrichtung erforderlich. Mit einer FIB-Anlage kann der Querschnitt an jeder beliebigen Stelle des p-n-Übergangs freigelegt werden und so die Qualität des p-n-Übergangs überprüft werden. Dazu ist eine FIB-Anlage mit mittlerem Ionenstrom und einem gut fokussierten Ionenstrahl erforderlich.
Fallstudie II – Querschnitt durch einen Vorderseiten- Kontaktfinger einer Solarzelle
Fehlerhafter Vorderseiten-Kontaktfinger, bestehend aus einem Saat- und einem Leitbereich mit länglichem Hohlraum in der Leitschicht. Unerwünschte Hohlräume gibt es auch an den Grenzflächen zwischen Saatbereich und Si-Wafer sowie Saatbereich und Leitbereich. „Fallstudie II – Querschnitt durch einen Vorderseiten- Kontaktfinger einer Solarzelle“ weiterlesen
Fallstudie I – Ätzschäden in Si-Wafer
Die Einlagerung sehr kleiner Partikel in eine Schicht, die den Wafer vor einer Ätzlösung schützen sollte, führte zum Unterätzen dieser Schicht. Mit FIB-Cross-Sectioning konnte dieser Partikel scheibenweise freigelegt werden und ein Nanokanal im Partikel als Ursache für die Undichtigkeit der Schutzschicht gefunden werden.
Für diesen Fall ist eine FIB-Anlage mit einen kleinen Ionenstrom, aber einem hochpräzise fokussierten Ionenstrahl erforderlich.